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Si4816DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
24
V GS = 10 V thru 4 V
40
32
24
16
16
T C = 125 °C
8
3 V
8
25 °C
0
2 V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.030
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.024
0.01 8
0.012
0.006
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
C iss
0
8
16
24
32
40
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
Document Number: 71121
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
5
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SI4818DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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